[会议]2018中国存储与数据峰会参会总结

Posted by Lv Yina on 2018-12-14

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去北京参加了2018中国存储与数据峰会,总得整理一下听的内容呀,供大家了解了解~

12月11日

中午到达,听了下午的会议,下面挑几个介绍一哈

1.2018到2022数据中心SSD的新故事

——Memblaze产品副总裁 张泰乐

张泰乐本人在NVMe、3D NAND 以及全球 SSD 市场发展和演进等多个领域有深入的研究和独到的见解,是不折不扣的业内专家

闪存

闪存是数据中心存储的未来,从闪存和控制器芯片到SSD,再到存储和数
1、闪存和介质
闪存是数据中心存储的未来,从闪存和控制器芯片到SSD,再到存储和数据中心基础架构,都围绕闪存产生了一大批新的技术和理念。
以前PCIe SSD还非常小众,缺乏标准化的领域,然而十年后NVMe 、3D NAND、全闪存阵列等技术都已经越来越成熟
目前的闪存主要分为NAND和NOR Flash ,其中NAND是按page读写,按block擦除,NOR为字节存储,目前大多数都是NAND型闪存
NAND价格预测
SSD的主要成本来自NAND
2、协议与功能
NVMe对上层来说是一个黑盒子,它的latency是不可控的

QLC

SLC——MLC——TLC——QLC
区别:一个晶体管可以放多少位,位数不同,电压变化也是不同的。上述不同类型使用寿命相差大
1、SLC:Single-Level Cell,每个Cell单元存储1bit信息,也就是只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快速-

  • 特点:寿命长,性能强,寿命在1万到10万次之间
  • 缺点:容量低,成本高,毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息
    2、MLC:Multi-Level Cell,每个cell单元存储2bit信息,电压有四种变化,所以它比SLC需要更复杂的的电压控制,加压过程用时也变长,意味着写入性能降低了,同时可靠性也下降了,P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等
    3、TLC:Trinary-Level Cell,3bit MLC,每个cell单元存储3bit信息,电压有8种变化,容量比MLC再次增加1/3,成本更低,但是架构更复杂,P/E编程时间长,写入速度慢,P/E寿命也降至1000-3000次
    4、QLC:Quad-Level Cell,或者叫4bit MLC,一个晶体管可以放四个bit,电压有16种变化,容量增加了33%,但是写入性能差,寿命低,价格低。重写一遍基本不会再重写,与以往擦写不同。

说到这里,你是否会想到既然QLC容量上增加了那么多,价格还便宜,在未来是否会完全取代机械硬盘HDD呢?

闪存价格趋势

闪存的价格持续走低,闪存进一步普及:

summary

闪存与介质

  • 闪存价格将持续下降,普及加速
  • 3D TLC在企业级已经成为绝对主流,QLC的市场份额在未来5年将显著增加,但无法取代TLC
  • 3D xPoint等新介质值得关注,但需要寻求新的程序模型与生态建设

协议与功能

  • NVMe是当前以及未来5年最主要的接口,NVMe在不断完善
  • 各自特殊的定制化会不断出现,但投入产出风险很大
  • PCLe未来5年会增加4倍速度。SSD进入一个快速发展阶段

2.存储新势力——华为全系列NVMe全闪存发布会

——华为 肖德刚

华为的全闪存技术是市场的领导者

来自会场的展览图:

华为在闪存领域13年持续积累:
2005年,华为投入SSD研发
2008年,自主研发第一代 SATA SSD
2011年,第一代全闪存阵列Dorado2100上市
2012年,第二代全闪存阵列Dorado2100 G2上市,具备磨损均衡能力
2015年,业界领先的12G bit/s SAS SSD
2016年,又快又稳全闪存Dorado V3上市
2017年,业界首个商用NVMe全闪存 Dorado5000 V3上市

业内唯一全系列支持NVMe,领先于Dell EMC、NetApp和Pure Storage
一套系列同时支持SAN和NAS,企业级特性齐备,提供更高品质的数据服务,数据缩减率可达5:1,性能和效率兼得

3.新存储、驱数据、领未来

——紫光西部数据 靳扬
云计算————————大数据————————人工智能
(数据获取) (数据存储) (数据处理)

技术

当今世界,已经是一个数据爆炸的时代了,那么如何来提高一系列性能呢?

1、极致性能

  • 最快响应,提高I/O吞吐能力
  • 任何时间、任何设备、进行安全访问
    如何做?
    动态跨云:跨云统一命名空间、多协议便捷访问、数据流的方式
    2、跨云访问
  • 云架构、虚拟桌面、虚拟服务器、……
    3、AI就绪
  • 边缘计算、大数据云平台
  • 全闪存——分布式——海量存储
    4、绿色运维
  • 延时下降、空间节约、能源节约、能耗下降

紫光西部数据产品

UniverScale C18000 : 自主、安全、可控

  • 紫光西部数据UniverScale 分布式云存储系统是一套成熟、开放、经济、易用,基于软件定义的超规模多协议海量存储系统。采用弹性、稳定、高效、融合,支持纵向和横向全方位扩展(Scale Anything)的全对称分布式架构
  • 采用高级别冗余模式,数据耐受度极高,可满足EB级存储容量需求、千万级IOPS性能以及百GB级综合带宽需求
  • 统可广泛应用于气象预测、 教育科研、 能源勘探、广电媒资、视频监控、生物工程、卫星测绘等领域,面向大数据分析、私有云、高性能计算、海量文件、桌面云和大容量备份归档等多种应用场景。

4.打造“硬核”存储,构筑数字化基石

——郑穆 紫晶存储

存储介质

介质是存储领域的关键技术,在当前普及的磁、光、电存储技术中, 国外公司始终把控着磁、电的核心介质,国内无法做到真正自主可控,存储安全问题面临极大的挑战。因此,从底层存储介质开始实现安全可控成为了一种刚性需求

  • 磁存储:硬盘、磁带
  • 半导体存储技术:Flash Memory
  • 光存储技术:光盘ODD,最核心的技术是蓝光光盘
    目前, 全息光存储技术是紫晶存储的研发方向,2019年,全息产品的样机即将问世。

在11号的会议上,sony公司也介绍了他们的光盘存储技术,有兴趣的可以去了解一下
Sony 公司:optical Disc Archive(ODA),1T,3GB/s

下面着重介绍下蓝光存储技术,这个词在这次会议上对我来说是第一次听到,也是非常的好奇了。
蓝光光盘(BDR):它的记录层金属材料接收镭射激光转换成热能,并借由所造成对滴局部高温在记录层上形成“物理变换”。由于转换时不可逆的,因此已存储的数据不能够再被篡改,这是一种真正意义上的一次性写入的记录介质。所以理论上相比其他可能被攻击或篡改的介质,蓝光光盘在长期存储上很有优势,可以确保数据不可攻击和篡改。

紫晶存储BDR:

记录密度高存储容量大
405nm波长的蓝紫光激光器
0.85数值孔径的光学头
轨道间距为0.32微妙
蓝光光盘的记录介质采用无机材料
可实现超长寿命
基于紫晶存储自主开发的材料和技术
光盘采用非接触式读写
无接触、没有磨损、可靠性高、寿命长
记录的信息不会因为反复读取而产生信息衰减
激光头焦距的改变可以改变记录层的相对位置信息
这使得光存储实现多层记录称为可能

12月12日

12号是论坛 ,上午去听了闪存存储和应用论坛,下午串场先去听了西瓜哥讲的第二存储,之后都在闪存国际合作论坛。下午早早的去占座,坐到了VIP后面一排,然而下午各位大牛们讲的都是他们公司的产品,商业自吹,没有上午的有意思……虽然讲的都是各大公司的大牛!

1.阿里巴巴用户态单机存储引擎与SSD演进

——刘攀 阿里巴巴

用户态核心难点:
设备管理:重建设备管理运维体系
内存管理:实现虚拟地址映射虚实
进程通信:实现共享内存回收、死锁处理、内存互踩
提出了一个FusionEngine框架:协议、运维工具、测试平台等

用户态文件系统
痛点:元数据更新频繁,日志双写。
解决方案:

  • 1、针对分布式存储的特点,定制化用户态文件系统
  • 2、全新的数据格式,元数据更新频率降低到ext4的1/1000

下面介绍一下open channel SSD——AliFlash V3

Open Channel SSD(OCS):这样控制器只负责Flash数据传输、ECC、RAID、垃圾回收引擎、错误处理、坏块管理等工作,而FTL层的设计由Host自己根据需求实现。这样也方便用几个控制器组成一个大的SSD,甚至阵列

“I want to say”

不同的技术有不同的对象,来解决不同的问题
考虑方案的时候往往是在特定场合下的,针对特定的问题,但是不妨碍我们去追求一种perfect、适合几乎所有应用场景的技术
最大的体会就是要清楚自己所研究的领域有哪些先进技术,未来发展趋势如何

这是第一次去听这样大型的会议,学习了很多,了解了很多,体会了很多,这一趟北京之行收获满满!也满足了再次去北京天安门广场的心愿,记得上一次去的时候是上小学前一年,当时还没有那么多的感触,只是感觉天安门广场宏伟壮观!转眼过去16年了!哇!再次看到的时候,跑过去正好一排护旗手走向前方,当国歌响起,护旗手撒开国旗的时候,迎着未升起的太阳,瞬间就起鸡皮疙瘩了,无法用言语来形容当时的心情!!



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